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à propos de KiCad
NTLJF3117PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
NOVA partie #:
312-2264906-NTLJF3117PT1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTLJF3117PT1G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-WDFN (2x2) | |
| Numéro de produit de base | NTLJF3117 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | µCool™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Paquet/caisse | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 531 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 710mW (Ta) | |
| Autres noms | NTLJF3117PT1GOSTR NTLJF3117PT1GOSDKR NTLJF3117PT1G-ND ONSONSNTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1GOSCT =NTLJF3117PT1GOSCT-ND 2156-NTLJF3117PT1G-OS |
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