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à propos de KiCad
IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
NOVA partie #:
312-2288733-IPB049NE7N3GATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB049NE7N3GATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
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N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 | |
| Numéro de produit de base | IPB049 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 75 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 150W (Tc) | |
| Autres noms | INFINFIPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GATMA1DKR IPB049NE7N3 G IPB049NE7N3 GTR-ND IPB049NE7N3GATMA1CT IPB049NE7N3 GDKR-ND IPB049NE7N3 GCT-ND IPB049NE7N3 GDKR IPB049NE7N3G IPB049NE7N3 GCT IPB049NE7N3GATMA1TR IPB049NE7N3 G-ND SP000641752 2156-IPB049NE7N3GATMA1 |
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