l’altium aigle OrCad coussinets à propos de KiCad 
PHK4NQ10T,518
MOSFET N-CH 100V 8SO
NOVA partie #:
312-2343353-PHK4NQ10T,518
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
PHK4NQ10T,518
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 100 V - 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
| Numéro de produit de base | PHK4N | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta) | |
| Autres noms | 934055907518 PHK4NQ10T /T3 PHK4NQ10T /T3-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.