SI4435DY

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2282821-SI4435DY
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4435DY
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base SI4435
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±20V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1604 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta)
Autres nomsSI4435DYFSTR
SI4435DYFSCT
SI4435DYCT-ND
SI4435DYCT
SI4435DYFSDKR

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