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N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL | |
Numéro de produit de base | BSZ060 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 12 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) | |
Autres noms | BSZ060NE2LS BSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
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