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N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247N | |
Numéro de produit de base | SCT3022 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 95A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-247-3 | |
Vg (Max) | +22V, -4V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2879 pF @ 800 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 427W |
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