RS1E260ATTB1

MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
NOVA partie #:
312-2282457-RS1E260ATTB1
Pièce de fabricant non:
RS1E260ATTB1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-HSOP
Numéro de produit de base RS1E
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 26A (Ta), 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerTDFN
Vg (Max)±20V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7850 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 3W (Ta)
Autres nomsRS1E260ATTB1TR
RS1E260ATTB1DKR
RS1E260ATTB1CT

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