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NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
NOVA partie #:
312-2277417-NTLJS7D2P02P8ZTAG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTLJS7D2P02P8ZTAG
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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P-Channel 20 V 7.9A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) | |
| Numéro de produit de base | NTLJS7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-PowerWDFN | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2790 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 860mW (Ta) | |
| Autres noms | NTLJS7D2P02P8ZTAGOSCT NTLJS7D2P02P8ZTAGOSTR NTLJS7D2P02P8ZTAGOSDKR |
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