IPB600N25N3GATMA1

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MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK

NOVA partie #:

312-2280506-IPB600N25N3GATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPB600N25N3GATMA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3
Numéro de produit de base	IPB600
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	250 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	IPB600N25N3GATMA1CT IPB600N25N3 GCT-ND IPB600N25N3 GTR-ND IPB600N25N3 G SP000676408 IPB600N25N3 GCT IPB600N25N3 GDKR IPB600N25N3GATMA1DKR IPB600N25N3GATMA1TR IPB600N25N3 G-ND IPB600N25N3G IPB600N25N3 GDKR-ND IPB600N25N3 GTR