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SI7111EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2272828-SI7111EDN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7111EDN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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P-Channel 30 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7111 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® Gen III | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.55mOhm @ 15A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 2.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5860 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 52W (Tc) | |
| Autres noms | SI7111EDN-T1-GE3DKR SI7111EDN-T1-GE3TR SI7111EDN-T1-GE3CT |
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