IMZ120R140M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
NOVA partie #:
312-2264953-IMZ120R140M1HXKSA1
Pièce de fabricant non:
IMZ120R140M1HXKSA1
Paquet Standard:
30

Format de téléchargement disponible

N-Channel 1200 V 19A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-TO247-4-1
Numéro de produit de base IMZ120
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
SérieCoolSiC™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 18 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-4
Vg (Max)+23V, -7V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (maximale) 94W (Tc)
Autres nomsSP001946186

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