FQT4N25TF

MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
NOVA partie #:
312-2272470-FQT4N25TF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FQT4N25TF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 250 V 830mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SOT-223-4
Numéro de produit de base FQT4N25
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieQFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 830mA (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)250 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Tc)
Autres nomsFQT4N25TFTR
FQT4N25TFDKR
FQT4N25TF-ND
FQT4N25TFCT
2156-FQT4N25TF-OS
FAIFSCFQT4N25TF

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