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RF Mosfet GaN HEMT 20MHz ~ 3GHz 17dB 25W 8-QFN (5x6)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - RF | |
Fabricant: | Tagore Technology | |
RoHS | 1 | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-QFN (5x6) | |
Série | - | |
Gagner | 17dB | |
Facteur de bruit | - | |
Puissance - Sortie | 25W | |
Paquet/caisse | 8-VDFN Exposed Pad | |
Courant nominal (ampères) | 30A | |
Tension - nominale | 50 V | |
Fréquence | 20MHz ~ 3GHz | |
Type de transistor | GaN HEMT | |
Autres noms | 2713-TA9410E -2715-TA9410E |
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