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SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
NOVA partie #:
303-2254900-SIZ900DT-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIZ900DT-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-PowerPair™ | |
| Numéro de produit de base | SIZ900 | |
| Paquet/caisse | 6-PowerPair™ | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 24A, 28A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V | |
| Fonction FET | Logic Level Gate | |
| Type FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V | |
| Puissance - Max | 48W, 100W | |
| Autres noms | SIZ900DT-T1-GE3DKR SIZ900DTT1GE3 SIZ900DT-T1-GE3CT SIZ900DT-T1-GE3TR |
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