SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
NOVA partie #:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIS932EDN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000

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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Numéro de produit de base SIS932
Paquet/caissePowerPAK® 1212-8 Dual
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Fonction FETStandard
Type FET2 N-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Puissance - Max 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Autres nomsSIS932EDN-T1-GE3TR
SIS932EDN-T1-GE3CT
SIS932EDN-T1-GE3DKR

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