EPC2105

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
NOVA partie #:
303-2243658-EPC2105
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC2105
Paquet Standard:
500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:EPC
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur Die
Paquet/caisseDie
SérieeGaN®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Fonction FETGaNFET (Gallium Nitride)
Type FET2 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain à source (Vdss)80V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Puissance - Max -
Autres noms917-1185-6
917-1185-2
917-1185-1

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