NTMD6601NR2G

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
NOVA partie #:
303-2253955-NTMD6601NR2G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTMD6601NR2G
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base NTMD66
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Fonction FETLogic Level Gate
Type FET2 N-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)80V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Puissance - Max 600mW
Autres nomsONSONSNTMD6601NR2G
2156-NTMD6601NR2G-ONTR

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