F411MR12W2M1B76BOMA1

LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
NOVA partie #:
303-2249237-F411MR12W2M1B76BOMA1
Pièce de fabricant non:
F411MR12W2M1B76BOMA1
Paquet Standard:
15

Format de téléchargement disponible

Mosfet Array 4 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 100A (Tj) - Chassis Mount AG-EASY1B-2

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur AG-EASY1B-2
Paquet/caisseModule
SérieEasyPACK™ CoolSiC™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 248nC @ 15V
Fonction FETSilicon Carbide (SiC)
Type FET4 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain à source (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.36nF @ 800V
Puissance - Max -
Autres noms448-F411MR12W2M1B76BOMA1
SP005419343

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