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Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricant: | EPC | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) | |
Paquet/caisse | 9-VFBGA | |
Série | eGaN® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Type FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | |
Tension drain à source (Vdss) | 60V, 100V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
Puissance - Max | - | |
Autres noms | 917-1169-1 917-1169-2 917-1169-6 |
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