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AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
NOVA partie #:
303-2242032-AUIRF9952QTR
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
AUIRF9952QTR
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
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Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| Fonction FET | Logic Level Gate | |
| Type FET | N and P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V | |
| Puissance - Max | 2W | |
| Autres noms | INFIRFAUIRF9952QTR 2156-AUIRF9952QTR |
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