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BSM080D12P2C008
SIC POWER MODULE-1200V-80A
NOVA partie #:
303-2247558-BSM080D12P2C008
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSM080D12P2C008
Paquet Standard:
12
Fiche technique:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Module | |
| Numéro de produit de base | BSM080 | |
| Paquet/caisse | Module | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13.2mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
| Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V | |
| Puissance - Max | 600W |
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