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Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricant: | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base | DMHC6070 | |
Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.1A, 2.4A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V | |
Fonction FET | Standard | |
Type FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | |
Tension drain à source (Vdss) | 60V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V | |
Puissance - Max | 1.6W | |
Autres noms | DMHC6070LSD-13DIDKR DMHC6070LSD-13DICT DMHC6070LSD-13DITR |
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