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Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base | IRF7343 | |
Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.7A, 3.4A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | |
Fonction FET | Standard | |
Type FET | N and P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 55V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V | |
Puissance - Max | 2W | |
Autres noms | SP001565516 IRF7343PBFCT IRF7343PBFTR *IRF7343TRPBF IRF7343PBFDKR |
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