SI4936CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
NOVA partie #:
303-2251419-SI4936CDY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4936CDY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500

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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base SI4936
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Fonction FETLogic Level Gate
Type FET2 N-Channel (Dual)
Tension drain à source (Vdss)30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V
Puissance - Max 2.3W
Autres nomsSI4936CDY-T1-GE3-ND
SI4936CDY-T1-GE3CT
SI4936CDY-T1-GE3TR
SI4936CDY-T1-GE3DKR
SI4936CDYT1GE3

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