SI3552DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

NOVA partie #:

303-2251412-SI3552DV-T1-E3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI3552DV-T1-E3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	SI3552
Paquet/caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Fonction FET	Logic Level Gate
Type FET	N and P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.15W
Autres noms	SI3552DV-T1-E3TR Q6936817FL SI3552DV-T1-E3DKR SI3552DVT1E3 SI3552DV-T1-E3CT

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