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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
Numéro de produit de base | IRF9910 | |
Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10A, 12A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | |
Fonction FET | Logic Level Gate | |
Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
Tension drain à source (Vdss) | 20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V | |
Puissance - Max | 2W | |
Autres noms | IRF9910TRPBFTR-ND SP001575370 IRF9910PBFCT IRF9910PBFTR *IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF-ND IRF9910PBFDKR |
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