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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple, pré-polarisé | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Numéro de produit de base | MMUN2214 | |
Série | - | |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100 mA | |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased | |
Puissance - Max | 246 mW | |
Autres noms | MMUN2214LT1GOSDKR ONSONSMMUN2214LT1G 2156-MMUN2214LT1G-OS MMUN2214LT1G-ND MMUN2214LT1GOSTR MMUN2214LT1GOSCT |
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