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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A - 1.3 W Through Hole TO-126-3
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-126-3 | |
Numéro de produit de base | KSD1691 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-225AA, TO-126-3 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2A, 1V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 60 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1.3 W | |
Autres noms | KSD1691YSFS KSD1691YS-ND |
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