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Bipolar (BJT) Transistor NPN 550 V 6 A - 32 W Through Hole TO-220F
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220F | |
Numéro de produit de base | BUT11 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 2A | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 550 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 6 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 32 W | |
Autres noms | 934056321127 BUT11APX-1200 BUT11APX-1200-ND |
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