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Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236 | |
Numéro de produit de base | 2SC2713 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
Fréquence - Transition | 100MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 120 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100 mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 150 mW | |
Autres noms | 2SC2713-GRTE85LFCT-ND 2SC2713-GR(TE85L,F 2SC2713-GRLFCT 2SC2713-GRTE85LFTR-ND 2SC2713-GRTE85LFCT 2SC2713-GR,LF(B 2SC2713-GRTE85LFTR 2SC2713-GRTE85LFDKR-ND 2SC2713-GRTE85LF 2SC2713-GR (TE85L,F 2SC2713-GR,LF(T 2SC2713-GRTE85LFDKR 2SC2713-GRLFDKR 2SC2713-GRLFTR |
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