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Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A - 100 W Through Hole TO-220AB
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
Numéro de produit de base | BUT11 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-220-3 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 500mA, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 330mA, 2.5A | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 450 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 100 W | |
Autres noms | 934050210127 BUT11AI BUT11AI-ND |
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