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Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 200 mA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-39 (TO-205AD) | |
Série | Military, MIL-PRF-19500/727 | |
Paquet/caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 25mA | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 700 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200 mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1 W | |
Autres noms | 2N5012S-ND 150-2N5012S |
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