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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 600 mW Through Hole TO-39
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-39 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | |
Fréquence - Transition | 200MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 60 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600 mA | |
Type de transistor | PNP | |
Puissance - Max | 600 mW | |
Autres noms | 2N2905A LEAD FREE 2N2905ACS-ND 2N2905ACS 1514-2N2905APBFREE |
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