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Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-5
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | - | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-5 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 24mA | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 35 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150 mA | |
Type de transistor | PNP | |
Puissance - Max | 150 mW | |
Autres noms | 2368-2N404A |
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