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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-92-3 | |
Numéro de produit de base | BC63916 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
Fréquence - Transition | 100MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 80 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1 W | |
Autres noms | BC63916_D27ZTR-ND BC63916_D27ZTR BC63916_D27ZCT-ND BC63916_D27ZCT BC63916_D27Z BC63916-D27ZTR BC63916_D27ZDKR BC63916_D27ZDKR-ND BC63916_D27ZDKRINACTIVE BC63916-D27ZDKRINACTIVE BC63916_D27Z-ND BC63916_D27ZDKRINACTIVE-ND BC63916-D27ZCT |
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