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Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-92MOD | |
Numéro de produit de base | 2SA1020 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A | |
Fréquence - Transition | 100MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2 A | |
Type de transistor | PNP | |
Puissance - Max | 900 mW | |
Autres noms | 2SA1020ANSEIKIF(J 2SA1020ANSEIKIFJ |
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