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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TP | |
Numéro de produit de base | 2SD1816 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A | |
Fréquence - Transition | 180MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 100 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1 W | |
Autres noms | ONSONS2SD1816T-H 2156-2SD1816T-H-ON |
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