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Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-126 | |
Numéro de produit de base | MJE350 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-225AA, TO-126-3 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 300 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500 mA | |
Type de transistor | PNP | |
Puissance - Max | 20 W | |
Autres noms | 2156-MJE350G-OS ONSONSMJE350G MJE350GOS |
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