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RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | Micro-X ceramic (84C) | |
Numéro de produit de base | MRF581 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz | |
Paquet/caisse | Micro-X ceramic (84C) | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V | |
Fréquence - Transition | 5GHz | |
Gagner | 13dB ~ 15.5dB | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 18V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1.25W | |
Autres noms | MRF581GMI MRF581GMI-ND MRF581G-ND 150-MRF581G |
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