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RF Transistor NPN 20V 300mA 1.09GHz 600mW Chassis Mount M115
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | |
Type de montage | Chassis Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | M115 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | - | |
Paquet/caisse | M115 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 100mA, 5V | |
Fréquence - Transition | 1.09GHz | |
Gagner | 10.8dB | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 20V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 600mW | |
Autres noms | 150-MS2204 MS2204-ND |
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