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RF Transistor NPN 65V 24A 1.09GHz 880W Chassis Mount M216
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 250°C (TJ) | |
Type de montage | Chassis Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | M216 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | - | |
Paquet/caisse | M216 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V | |
Fréquence - Transition | 1.09GHz | |
Gagner | 8dB | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 65V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 24A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 880W | |
Autres noms | 150-MS2207 MS2207-ND |
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