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RF Transistor NPN 20V 30mA - 350mW Through Hole TO-92-3
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-92-3 | |
Numéro de produit de base | BF494 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | - | |
Paquet/caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 67 @ 1mA, 10V | |
Fréquence - Transition | - | |
Gagner | - | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 20V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 350mW |
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