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RF Transistor NPN 20V - - 175mW Through Hole TO-72
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-72 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | 2.7dB @ 45MHz | |
Paquet/caisse | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 2mA, 10V | |
Fréquence - Transition | - | |
Gagner | 29dB | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 20V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 175mW | |
Autres noms | 2368-NTE319 |
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