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RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PW-MINI | |
Numéro de produit de base | MT3S111 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz | |
Paquet/caisse | TO-243AA | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
Fréquence - Transition | 8GHz | |
Gagner | 10.5dB | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 6V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 1W | |
Autres noms | MT3S111P(TE12LF)DKR MT3S111P(TE12LF)TR MT3S111P(TE12LF) MT3S111P(TE12LF)CT |
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