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RF Transistor NPN 25V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - RF | |
Fabricant: | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-92-3 | |
Numéro de produit de base | BF199 | |
Série | - | |
Facteur de bruit (dB Typ @ f) | - | |
Paquet/caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V | |
Fréquence - Transition | 1.1GHz | |
Gagner | - | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 25V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 350mW | |
Autres noms | BF199FS BF199-ND |
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