EMD12FHAT2R

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
NOVA partie #:
299-2013322-EMD12FHAT2R
Pièce de fabricant non:
EMD12FHAT2R
Paquet Standard:
8,000
Fiche technique:

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

More Information
Catégorie de produitsTransistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur EMT6
Numéro de produit de base EMD12
SérieAutomotive, AEC-Q101
Paquet/caisseSOT-563, SOT-666
Résistance - Base (R1)47kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Fréquence - Transition250MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)-
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)-
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max 150mW
Autres nomsEMD12FHAT2RTR
EMD12FHAT2RCT
EMD12FHAT2RDKR

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