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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | US6 | |
Numéro de produit de base | RN4907 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Résistance - Base (R1) | 10kOhms | |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47kOhms | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
Fréquence - Transition | 200MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA | |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Puissance - Max | 200mW | |
Autres noms | RN4907(T5LFT)TR RN4907(T5LFT)DKR RN4907(T5LFT)CT |
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