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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés | |
Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | EMT6 | |
Numéro de produit de base | EMF8T2 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | SOT-563, SOT-666 | |
Résistance - Base (R1) | 47kOhms | |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47kOhms | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
Fréquence - Transition | 250MHz, 320MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V, 12V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 500mA | |
Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | |
Puissance - Max | 150mW |
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