RN1605TE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
NOVA partie #:
299-2013034-RN1605TE85LF
Pièce de fabricant non:
RN1605TE85LF
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6

More Information
Catégorie de produitsTransistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SM6
Numéro de produit de base RN1605
Série-
Paquet/caisseSC-74, SOT-457
Résistance - Base (R1)2.2kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)47kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Fréquence - Transition250MHz
Courant - Coupure du collecteur (Max)100nA (ICBO)
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)50V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max 300mW
Autres nomsRN1605TE85LFCT
RN1605TE85LFDKR
RN1605(TE85L,F)
RN1605TE85LFTR

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