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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-polarisés | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | SM6 | |
Numéro de produit de base | RN1605 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | SC-74, SOT-457 | |
Résistance - Base (R1) | 2.2kOhms | |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47kOhms | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
Fréquence - Transition | 250MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA | |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
Puissance - Max | 300mW | |
Autres noms | RN1605TE85LFCT RN1605TE85LFDKR RN1605(TE85L,F) RN1605TE85LFTR |
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