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Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.8A - 1W Through Hole 16-PowerDIP
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices | |
Fabricant: | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 16-PowerDIP | |
Numéro de produit de base | L6221 | |
Paquet/caisse | - | |
Série | - | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 1.8A | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | - | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.8A | |
Type de transistor | 4 NPN Darlington (Quad) | |
Puissance - Max | 1W | |
Autres noms | 497-1429-5-NDR 497-1429-5 E-L6221AS |
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